
鞏義市仁源水處理材料廠
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陰離子交換樹脂廠家:EDI 污染判斷及8種清洗方法全解析
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設(shè)備的化學(xué)清洗及再生
雖然EDI膜塊的進水條件在很大的程度上減少了膜塊內(nèi)部阻塞的機會,但是著 設(shè)備運行時間的延展,EDI膜塊內(nèi)部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞,這主要是EDI進水中含有較多的溶質(zhì),在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進水中含有大量的鈣鎂離子(硬度超過0.8ppm)、CO2 和較高的 PH 值,將會加快沉淀的速度。遇到這種情況,我們可以通過化學(xué)清洗的方法對EDI膜塊進行清洗,使之恢復(fù)到原來的技術(shù)特性。
通常判斷 EDI 膜塊被污染堵塞可以從以下幾個方面進行評估判定:
1、在進水溫度、流量不變的情況下,進水側(cè)與產(chǎn)水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高 45%。
2、在進水溫度、流量不變的情況下,濃水進水側(cè)與濃水排水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。
3、在進水溫度、流量及電導(dǎo)率不變的情況下,產(chǎn)水水質(zhì)(電阻率)明顯下降。
4、在進水溫度、流量不變的情況下,濃水排水流量下降35%。
膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式:
1、顆粒/膠體污堵
2、無機物污堵
3、有機物污堵
4、微生物污堵
EDI 清洗注意:在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學(xué)藥劑并熟悉安全操作規(guī)程,切不可在組件電源沒有切斷的狀態(tài)下進行化學(xué)清洗。
l 顆粒/膠體污堵
進水顆粒度≥5μm 時會造成進水流道堵塞,引起膜塊內(nèi)部水流分布不均勻,從而導(dǎo)致 膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進水不是直接由 RO 產(chǎn)水端進入 EDI 膜塊,而是通過RO產(chǎn)水箱經(jīng)過增壓泵供水,建議在進入EDI膜塊前端增設(shè)保安過濾器(≤0.2μm)。 在組裝EDI設(shè)備時,所有的連接管道系統(tǒng)應(yīng)沖洗干凈以預(yù)防管道內(nèi)的顆粒雜質(zhì)進入膜塊。
l 無機物污堵
如果 EDI 進水含有較多的溶質(zhì)且超出設(shè)計值或者回收率超過設(shè)計值時,將導(dǎo)致濃水室和陰極室的結(jié)垢,生成鹽類物質(zhì)析出沉淀,通常結(jié)垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質(zhì)的濃度很小,接觸時間也很短,但隨著運行時間的累加,仍有發(fā)生結(jié)垢的可能,這種硬度結(jié)垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法,使用低PH溶液在系統(tǒng)內(nèi)部循環(huán)清洗,可以去除濃水室和陰極室的結(jié)垢。
當(dāng)進水中的鐵和錳含量高,或者高TDS的水以外進入到EDI膜塊時,也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵?梢圆捎梅桨2進行清洗。
l 有機物污堵
當(dāng)進水有機污染物TOC或TEA含量超過設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)時,淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發(fā)生有機污堵。可以采用方案3的方法,用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環(huán)清洗可以將有機分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進行清洗。
l 微生物污堵
當(dāng)設(shè)備運行環(huán)境適于微生物生長,或者進水中存在較多的細(xì)菌和藻類的時候,EDI膜塊和系統(tǒng)也會發(fā)生微生物污堵。可以采用方案3、4中的方法用高PH鹽水進行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴(yán)重時,可以采用方案5進行清洗。如果同時伴有無機物污堵, 可以按照方案6加入酸洗步驟。
對于極嚴(yán)重的微生物污堵,可以采用方案7或8以高PH 藥劑清洗。
下面是清洗方案選擇表:
|
問題/方案 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
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濃水室結(jié)垢 |
☆ |
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淡水室結(jié)垢 |
☆ |
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有機物污堵 |
☆ |
|||||||
|
有機物污堵和結(jié)垢 |
☆ |
|||||||
|
微生物污堵 |
☆ |
|||||||
|
微生物污堵和結(jié)垢 |
☆ |
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|
嚴(yán)重的微生物污堵 |
☆ |
|||||||
|
嚴(yán)重的微生物污堵和結(jié)垢 |
☆ |
|||||||
|
極嚴(yán)重的微生物污堵 |
☆ |
|||||||
|
極嚴(yán)重的微生物污堵和結(jié)垢 |
☆ |
各清洗方案的主要操作步驟
|
步驟 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
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步驟一 |
濃水室酸洗 |
酸洗 |
堿洗 |
酸洗 |
鹽水清洗 |
酸洗 |
鹽水清洗 |
酸洗 |
|
步驟二 |
沖洗 |
沖洗 |
沖洗 |
堿洗 |
沖洗 |
鹽水清洗 |
沖洗 |
鹽水清洗 |
|
步驟三 |
再生 |
再生 |
沖洗 |
消毒 |
沖洗 |
消毒 |
沖洗 |
|
|
步驟四 |
再生 |
鹽水清洗 |
消毒 |
堿洗 |
消毒 |
|||
|
步驟五 |
沖洗 |
鹽水清洗 |
沖洗 |
堿洗 |
||||
|
步驟六 |
再生 |
沖洗 |
再生 |
沖洗 |
||||
|
步驟七 |
再生 |
再生 |
各清洗方法時間
|
清洗方法 |
時間(分) |
備注 |
|
酸洗 |
30-50 |
|
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堿洗 |
30-50 |
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鹽水清洗 |
35-60 |
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消毒 |
25-40 |
|
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沖洗 |
≥50 |
|
|
再生 |
≥120 |
根據(jù)系統(tǒng)的工藝要求直至達到出水電阻率要求指標(biāo) |
單個模塊清洗時藥液配用量
|
模塊處理量大小 |
藥液配用量(升) |
備注 |
|
0.5t/h |
50 |
1、酸洗溫度 15-25℃ 2、堿洗溫度 25-30℃ 3、配藥液用水必須是RO產(chǎn)水或高于RO產(chǎn)水的去離子水 |
|
1t/h |
80 |
|
|
2t/h |
110 |
|
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3t/h |
150 |
對于膜塊數(shù)量大于 1 塊時,按表中配液的數(shù)量乘以膜塊數(shù)量。
清洗用化學(xué)藥品規(guī)格
所有化學(xué)藥品必須使用推薦的等級或高于推薦的等級
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藥品名稱 |
推薦等級 |
備注 |
|
鹽酸(HCl) |
化學(xué)純 或 試劑級 |
|
|
氫氧化鈉(NaOH) |
化學(xué)純 或 試劑級 |
液態(tài):50%w/w |
|
氯化鈉(NaCl) |
食品級、化學(xué)純 或 試劑級 |
食品級≥99.8% |
|
過氧化氫(H2O2) |
化學(xué)純 |
30% |
|
過氧乙酸(CH3COOOH) |
化學(xué)純 |
安全注意事項
1、在配置清洗藥液時,必須穿戴好防護服、防護眼鏡和防護手套。
2、需要清洗的設(shè)備管路必須是與其他連接設(shè)備的連接管路完全隔離的。
3、需要清洗的設(shè)備其電源必須是完全切斷并有“正在操作,不得送電”的安全警示。
4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過 0.15MPa。
清洗設(shè)備組件
1、清洗循環(huán)泵(耐腐蝕泵)
2、清洗水箱(PP)
3、耐腐蝕清洗軟管(與清洗泵適配)
4、耐腐蝕閥門(UPVC)
5、耐腐蝕壓力表
6、過濾器(≤1μm)
工具:pH 試紙(廣泛);溫度計;計時表
清洗方案
清洗方案1
濃水室結(jié)垢清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱,濃水進、出水閥開啟,關(guān)閉EDI淡水進水閥和產(chǎn)水閥。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、打開EDI進水閥和產(chǎn)水閥,同時對兩個水室進行沖洗。
9、檢測濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
10、各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
11、恢復(fù) EDI 各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
12、開啟 PLC 控制柜電源,向 EDI 膜塊送電,轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案2
淡水室結(jié)垢清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
10、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
11、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
12、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 3
有機物污堵清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH)+2%鹽(NaCl)的清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
10、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
11、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
12、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 4
有機物污堵和結(jié)垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH)+2%鹽(NaCl)的清洗液。
10、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
15、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
16、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
17、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
微生物污堵可采用方案 3 進行
微生物污堵和結(jié)垢可餓采用方案 4 進行
清洗放案 5
嚴(yán)重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、 濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
5、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置 0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗液。
10、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置 2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
15、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
20、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
21、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
22、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 6
嚴(yán)重的微生物污堵和結(jié)垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
10、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗
液。
15、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。(參見附表)
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
20、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
21、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
23、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
24、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
25、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
26、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
27、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 7
極嚴(yán)重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
5、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗
液。
10、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH)+2%鹽(NaCl)的清洗液。
15、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。(參見附表)
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
20、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
21、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
22、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗放案 8
極嚴(yán)重的微生物污堵和結(jié)垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
10、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗液。
15、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。(參見附表)
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH)+2%鹽(NaCl)的清洗液。
20、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。(參見附表)
21、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
23、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進水側(cè)電導(dǎo)率相近。
24、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
25、停機,恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
26、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進行再生(再生步驟),直至電阻率達到出水要求為止。
27、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。

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